Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc
$62,10
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Transistor RF tipo N de alta potencia, Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W, Operación estable a 7.5 Vcc, Ganancia de potencia de 11 dB, Eficiencia del 55% en RF, Diseño SMD para montaje superficial
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El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
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